Fast Recovery Epitaxial Diodes (FREDs)

HP Sonic FRD

  • Electrical Characteristics
    • Catalog # E0280YH25C
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 350
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2330
    • I2t [Diode] (A2s) 27.1 x 103
    • IRM (A) 380
    • trr,typ (µs) 1.30
    • Qrr (µC) 500
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W3
    • V0 (V) 1.410
    • rS (mOhm) 2.600
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0730
    • Catalog # E0330MF65F
    • VRRM [Diode] (V) 6500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 277
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2790
    • I2t [Diode] (A2s) 38.9 x 103
    • IRM (A) 400
    • trr,typ (µs) 1.20
    • Qrr (µC) 550
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W99
    • V0 (V) 1.890
    • rS (mOhm) 5.800
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0425
    • Part Datasheet
    • Catalog # E0460QC45E
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 533
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 6800
    • I2t [Diode] (A2s) 231 x 103
    • IRM (A) 460
    • trr,typ (µs) 1.15
    • Qrr (µC) 685
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W68
    • V0 (V) 2.246
    • rS (mOhm) 2.716
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0274
    • Part Datasheet
    • Catalog # E0660NC45E
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 760
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 9160
    • I2t [Diode] (A2s) 420 x 103
    • IRM (A) 700
    • trr,typ (µs) 1.10
    • Qrr (µC) 1050
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • V0 (V) 2.194
    • rS (mOhm) 1.814
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0200
    • Part Datasheet
    • Catalog # E0660NH45E
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 760
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 9160
    • I2t [Diode] (A2s) 420 x 103
    • IRM (A) 700
    • trr,typ (µs) 1.10
    • Qrr (µC) 1050
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W47
    • V0 (V) 2.194
    • rS (mOhm) 1.814
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0200
    • Catalog # E0770HF65F
    • VRRM [Diode] (V) 6500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 617
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 6973
    • I2t [Diode] (A2s) 243 x 103
    • IRM (A) 600
    • trr,typ (µs) 0.90
    • Qrr (µC) 735
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W100
    • V0 (V) 2.777
    • rS (mOhm) 2.030
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0189
    • Part Datasheet
    • Catalog # E0800QC25C
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 960
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10700
    • I2t [Diode] (A2s) 575 x 103
    • IRM (A) 720
    • trr,typ (µs) 1.60
    • Qrr (µC) 1420
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W68
    • V0 (V) 1.410
    • rS (mOhm) 0.839
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0290
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1000TF65F
    • VRRM [Diode] (V) 6500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 820
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 8455
    • I2t [Diode] (A2s) 357 x 103
    • IRM (A) 1000
    • trr,typ (µs) 1.20
    • Qrr (µC) 1350
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W97
    • V0 (V) 1.895
    • rS (mOhm) 1.925
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0141
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1200NC25C
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1338
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13300
    • I2t [Diode] (A2s) 884 x 103
    • IRM (A) 650
    • trr,typ (µs) 4.00
    • Qrr (µC) 2000
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.305
    • rS (mOhm) 0.678
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0200
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1200NH25C
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1338
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13300
    • I2t [Diode] (A2s) 884 x 103
    • IRM (A) 650
    • trr,typ (µs) 4.00
    • Qrr (µC) 2000
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W47
    • V0 (V) 1.305
    • rS (mOhm) 0.678
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0200
    • Catalog # E1250HC45E
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1355
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 20500
    • I2t [Diode] (A2s) 2.11 x 106
    • IRM (A) 1000
    • trr,typ (µs) 1.20
    • Qrr (µC) 1850
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W122
    • V0 (V) 2.072
    • rS (mOhm) 1.166
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0105
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1375EF65F
    • VRRM [Diode] (V) 6500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1125
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 12180
    • I2t [Diode] (A2s) 742 x 103
    • IRM (A) 1600
    • trr,typ (µs) 1.10
    • Qrr (µC) 2100
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W101
    • V0 (V) 1.890
    • rS (mOhm) 1.423
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0106
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1500MC33E
    • VRRM [Diode] (V) 3300
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1580
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17330
    • I2t [Diode] (A2s) 1.5 x 106
    • IRM (A) 1380
    • trr,typ (µs) 1.85
    • Qrr (µC) 2040
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W54
    • V0 (V) 1.509
    • rS (mOhm) 0.464
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0162
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1500NC36P
    • VRRM [Diode] (V) 3600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 106
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 2750
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0190
    • Catalog # E1500NC42P
    • VRRM [Diode] (V) 4200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 106
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 2750
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0190
    • Catalog # E1500NC48P
    • VRRM [Diode] (V) 4800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 106
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 2750
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0190
    • Catalog # E1500NH36P
    • VRRM [Diode] (V) 3600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 106
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 2750
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W47
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0190
    • Catalog # E1500NH42P
    • VRRM [Diode] (V) 4200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 106
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 2750
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W47
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0190
    • Catalog # E1500NH48P
    • VRRM [Diode] (V) 4800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 106
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 2750
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W47
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0190
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1680NC17F
    • VRRM [Diode] (V) 1700
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 785
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 8355
    • I2t [Diode] (A2s) 349 x 103
    • IRM (A) 950
    • trr,typ (µs) 0.45
    • Qrr (µC) 540
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.364
    • rS (mOhm) 0.584
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0357
    • Catalog # E1800TC45E
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2215
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 29050
    • I2t [Diode] (A2s) 4.22 x 106
    • IRM (A) 1490
    • trr,typ (µs) 1.15
    • Qrr (µC) 2800
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W28
    • V0 (V) 2.171
    • rS (mOhm) 0.634
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0068
    • Part Datasheet
    • Catalog # E2060FF65F
    • VRRM [Diode] (V) 6500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1690
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 20090
    • I2t [Diode] (A2s) 2.02 x 106
    • IRM (A) 2050
    • trr,typ (µs) 1.10
    • Qrr (µC) 2800
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W105
    • V0 (V) 1.890
    • rS (mOhm) 0.951
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0071
    • Part Datasheet
    • Catalog # E2250VF25C
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2425
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 25200
    • I2t [Diode] (A2s) 3.17 x 106
    • IRM (A) 1650
    • trr,typ (µs) 1.90
    • Qrr (µC) 3700
    • Status Not for New Designs
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W43
    • V0 (V) 1.510
    • rS (mOhm) 0.250
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0130
    • Part Datasheet
    • Catalog # E2400EC45E
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2490
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 32100
    • I2t [Diode] (A2s) 5.15 x 106
    • IRM (A) 2130
    • trr,typ (µs) 1.22
    • Qrr (µC) 3900
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W111
    • V0 (V) 2.114
    • rS (mOhm) 0.646
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0056
    • Part Datasheet
    • Catalog # E3000EC45E
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 3410
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 45700
    • I2t [Diode] (A2s) 10.5 x 106
    • IRM (A) 3050
    • trr,typ (µs) 1.25
    • Qrr (µC) 5000
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W111
    • V0 (V) 2.124
    • rS (mOhm) 0.339
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0050
    • Part Datasheet
    • Catalog # E4000FD45E
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 4210
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 54800
    • I2t [Diode] (A2s) 15.0 x 106
    • IRM (A) 3650
    • trr,typ (µs) 1.5
    • Qrr (µC) 5750
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W59
    • V0 (V) 2.117
    • rS (mOhm) 0.351
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0035
    • Part Datasheet
    • Catalog # E4000TC25C
    • IRM (A) 2480
    • trr,typ (µs) 2.50
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W28
    • V0 (V) 1.406
    • rS (mOhm) 0.149
    • Part Datasheet