Phase Control Discrete Thyristors

PCT Industrial B

  • Electrical Characteristics
    • Catalog # B0470WC120
    • IT(RMS) (A) 925
    • VDRM (V) 1200
    • VRRM (V) 1200
    • VRRM-VDRM (V) 1200
    • VDC [Thy] (V) 1200
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      20
    • VTM
      (V)
      1.68
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 470
    • Itav (A) 470
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 108
    • I2t [thy] (kA2s) 108
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.92
    • rS (mOhm) 0.99
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0722
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0891
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.6
    • Part Datasheet
    • Catalog # B0470WC160
    • IT(RMS) (A) 925
    • VDRM (V) 1600
    • VRRM (V) 1600
    • VRRM-VDRM (V) 1600
    • VDC [Thy] (V) 1600
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      20
    • VTM
      (V)
      1.68
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 470
    • Itav (A) 470
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 108
    • I2t [thy] (kA2s) 108
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.92
    • rS (mOhm) 0.99
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0722
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0891
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.6
    • Part Datasheet
    • Catalog # B0713YC200
    • IT(RMS) (A) 1400
    • VDRM (V) 2000
    • VRRM (V) 2000
    • VRRM-VDRM (V) 2000
    • VDC [Thy] (V) 2000
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      2.35
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 713
    • Itav (A) 713
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 252
    • I2t [thy] (kA2s) 252
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 300
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.103
    • rS (mOhm) 0.804
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.039
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.046
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Catalog # B0713YC220
    • IT(RMS) (A) 1400
    • VDRM (V) 2200
    • VRRM (V) 2200
    • VRRM-VDRM (V) 2200
    • VDC [Thy] (V) 2200
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      2.35
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 713
    • Itav (A) 713
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 252
    • I2t [thy] (kA2s) 252
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 300
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.103
    • rS (mOhm) 0.804
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.039
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.046
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Catalog # B0713YC240
    • IT(RMS) (A) 1400
    • VDRM (V) 2400
    • VRRM (V) 2400
    • VRRM-VDRM (V) 2400
    • VDC [Thy] (V) 2400
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      2.35
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 713
    • Itav (A) 713
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 252
    • I2t [thy] (kA2s) 252
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 300
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.103
    • rS (mOhm) 0.804
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.039
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.046
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Catalog # B0713YC250
    • IT(RMS) (A) 1400
    • VDRM (V) 2500
    • VRRM (V) 2500
    • VRRM-VDRM (V) 2500
    • VDC [Thy] (V) 2500
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      2.35
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 713
    • Itav (A) 713
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 252
    • I2t [thy] (kA2s) 252
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 300
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.103
    • rS (mOhm) 0.804
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.039
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.046
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Catalog # B0800YC120
    • IT(RMS) (A) 1580
    • VDRM (V) 1200
    • VRRM (V) 1200
    • VRRM-VDRM (V) 1200
    • VDC [Thy] (V) 1200
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      2
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 800
    • Itav (A) 800
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 281
    • I2t [thy] (kA2s) 281
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 150
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.08
    • rS (mOhm) 0.596
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0389
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.046
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Part Datasheet
    • Catalog # B0800YC140
    • IT(RMS) (A) 1580
    • VDRM (V) 1400
    • VRRM (V) 1400
    • VRRM-VDRM (V) 1400
    • VDC [Thy] (V) 1400
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      2
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 800
    • Itav (A) 800
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 281
    • I2t [thy] (kA2s) 281
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 150
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.08
    • rS (mOhm) 0.596
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0389
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.046
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Part Datasheet
    • Catalog # B0800YC160
    • IT(RMS) (A) 1580
    • VDRM (V) 1600
    • VRRM (V) 1600
    • VRRM-VDRM (V) 1600
    • VDC [Thy] (V) 1600
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      2
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 800
    • Itav (A) 800
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 281
    • I2t [thy] (kA2s) 281
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 150
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.08
    • rS (mOhm) 0.596
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0389
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.046
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Part Datasheet
    • Catalog # B0800YC180
    • IT(RMS) (A) 1580
    • VDRM (V) 1800
    • VRRM (V) 1800
    • VRRM-VDRM (V) 1800
    • VDC [Thy] (V) 1800
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      2
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 800
    • Itav (A) 800
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 281
    • I2t [thy] (kA2s) 281
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 150
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.08
    • rS (mOhm) 0.596
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0389
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.046
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Part Datasheet
    • Catalog # B0870YC120
    • IT(RMS) (A) 1720
    • VDRM (V) 1200
    • VRRM (V) 1200
    • VRRM-VDRM (V) 1200
    • VDC [Thy] (V) 1200
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      1.78
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 870
    • Itav (A) 870
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 353
    • I2t [thy] (kA2s) 353
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.03
    • rS (mOhm) 0.48
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0389
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0461
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Part Datasheet
    • Catalog # B0870YC140
    • IT(RMS) (A) 1720
    • VDRM (V) 1400
    • VRRM (V) 1400
    • VRRM-VDRM (V) 1400
    • VDC [Thy] (V) 1400
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      1.78
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 870
    • Itav (A) 870
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 353
    • I2t [thy] (kA2s) 353
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.03
    • rS (mOhm) 0.48
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0389
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0461
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Part Datasheet
    • Catalog # B0870YC160
    • IT(RMS) (A) 1720
    • VDRM (V) 1600
    • VRRM (V) 1600
    • VRRM-VDRM (V) 1600
    • VDC [Thy] (V) 1600
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      40
    • VTM
      (V)
      1.78
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 870
    • Itav (A) 870
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 353
    • I2t [thy] (kA2s) 353
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 1.03
    • rS (mOhm) 0.48
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0389
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0461
    • PGAV
      (W)
      2
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 0.5
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1115LC160
    • IT(RMS) (A) 2260
    • VDRM (V) 1600
    • VRRM (V) 1600
    • VRRM-VDRM (V) 1600
    • VDC [Thy] (V) 1600
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      100
    • VTM
      (V)
      1.6
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1157
    • Itav (A) 1157
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 806
    • I2t [thy] (kA2s) 806
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.973
    • rS (mOhm) 0.369
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.032
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0388
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1115LC180
    • IT(RMS) (A) 2260
    • VDRM (V) 1800
    • VRRM (V) 1800
    • VRRM-VDRM (V) 1800
    • VDC [Thy] (V) 1800
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      100
    • VTM
      (V)
      1.6
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1157
    • Itav (A) 1157
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 806
    • I2t [thy] (kA2s) 806
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.973
    • rS (mOhm) 0.369
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.032
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0388
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1230LC120
    • IT(RMS) (A) 2431
    • VDRM (V) 1200
    • VRRM (V) 1200
    • VRRM-VDRM (V) 1200
    • VDC [Thy] (V) 1200
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      60
    • VTM
      (V)
      1.4
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1226
    • Itav (A) 1226
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 1125
    • I2t [thy] (kA2s) 1125
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.883
    • rS (mOhm) 0.297
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.032
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0388
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1230LC140
    • IT(RMS) (A) 2431
    • VDRM (V) 1400
    • VRRM (V) 1400
    • VRRM-VDRM (V) 1400
    • VDC [Thy] (V) 1400
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      60
    • VTM
      (V)
      1.4
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1226
    • Itav (A) 1226
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 1125
    • I2t [thy] (kA2s) 1125
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.883
    • rS (mOhm) 0.297
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.032
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0388
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1230LC160
    • IT(RMS) (A) 2431
    • VDRM (V) 1600
    • VRRM (V) 1600
    • VRRM-VDRM (V) 1600
    • VDC [Thy] (V) 1600
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      60
    • VTM
      (V)
      1.4
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1226
    • Itav (A) 1226
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 1125
    • I2t [thy] (kA2s) 1125
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.883
    • rS (mOhm) 0.297
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.032
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0388
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1725NC120
    • IT(RMS) (A) 3460
    • VDRM (V) 1200
    • VRRM (V) 1200
    • VRRM-VDRM (V) 1200
    • VDC [Thy] (V) 1200
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      100
    • VTM
      (V)
      1.41
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1725
    • Itav (A) 1725
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 3700
    • I2t [thy] (kA2s) 3700
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.972
    • rS (mOhm) 0.169
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0248
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0271
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1725NC140
    • IT(RMS) (A) 3460
    • VDRM (V) 1400
    • VRRM (V) 1400
    • VRRM-VDRM (V) 1400
    • VDC [Thy] (V) 1400
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      100
    • VTM
      (V)
      1.41
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1725
    • Itav (A) 1725
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 3700
    • I2t [thy] (kA2s) 3700
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.972
    • rS (mOhm) 0.169
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0248
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0271
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1725NC160
    • IT(RMS) (A) 3460
    • VDRM (V) 1600
    • VRRM (V) 1600
    • VRRM-VDRM (V) 1600
    • VDC [Thy] (V) 1600
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      100
    • VTM
      (V)
      1.41
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1725
    • Itav (A) 1725
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 3700
    • I2t [thy] (kA2s) 3700
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.972
    • rS (mOhm) 0.169
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0248
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0271
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1725NC180
    • IT(RMS) (A) 3460
    • VDRM (V) 1800
    • VRRM (V) 1800
    • VRRM-VDRM (V) 1800
    • VDC [Thy] (V) 1800
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      100
    • VTM
      (V)
      1.41
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1725
    • Itav (A) 1725
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 3700
    • I2t [thy] (kA2s) 3700
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.972
    • rS (mOhm) 0.169
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0248
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0271
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1815NC120
    • IT(RMS) (A) 3615
    • VDRM (V) 1200
    • VRRM (V) 1200
    • VRRM-VDRM (V) 1200
    • VDC [Thy] (V) 1200
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      100
    • VTM
      (V)
      1.29
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1815
    • Itav (A) 1815
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 4380
    • I2t [thy] (kA2s) 4380
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.847
    • rS (mOhm) 0.17
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0248
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0271
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1815NC140
    • IT(RMS) (A) 3615
    • VDRM (V) 1400
    • VRRM (V) 1400
    • VRRM-VDRM (V) 1400
    • VDC [Thy] (V) 1400
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      100
    • VTM
      (V)
      1.29
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1815
    • Itav (A) 1815
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 4380
    • I2t [thy] (kA2s) 4380
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.847
    • rS (mOhm) 0.17
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0248
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0271
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet
    • Catalog # B1815NC160
    • IT(RMS) (A) 3615
    • VDRM (V) 1600
    • VRRM (V) 1600
    • VRRM-VDRM (V) 1600
    • VDC [Thy] (V) 1600
    • IDRM@
      VDRM
      125°C
      (mA)
      100
    • VTM
      (V)
      1.29
    • ITAV @ Tk=55 ℃ (A) 1815
    • Itav (A) 1815
    • ITSM 10ms Half Sine Wave k(A) 4380
    • I2t [thy] (kA2s) 4380
    • TJ Max (°C) 125
    • di/dt (A/µs) 500
    • dv/dt (V/µs) 1000
    • V0 (V) 0.847
    • rS (mOhm) 0.17
    • Gate Trigger Voltage (VGTMAX) (V) 3
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0248
    • RthJK 120° Rect (K/W) 0.0271
    • PGAV
      (W)
      4
    • PGM
      (W)
      30
    • Holding Current (A) 1
    • Part Datasheet