Fast Recovery Epitaxial Diodes (FREDs)

HP Sonic FRD

  • Electrical Characteristics
    • Catalog # E0460QC45E
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W68
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 533
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 6800
    • I2t [Diode] (A2s) 231 x 10³
    • IRM (A) 460
    • trr,typ (µs) 1.15
    • Qrr (µC) 685
    • V0 (V) 2.246
    • rS (mOhm) 2.716
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0274
    • Part Datasheet
    • Catalog # E0660NC45E
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 760
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 9160
    • I2t [Diode] (A2s) 420 x 10³
    • IRM (A) 700
    • trr,typ (µs) 1.1
    • Qrr (µC) 1050
    • V0 (V) 2.194
    • rS (mOhm) 1.814
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.02
    • Part Datasheet
    • Catalog # E0660NH45E
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W47
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 760
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 9160
    • I2t [Diode] (A2s) 420 x 10³
    • IRM (A) 700
    • trr,typ (µs) 1.1
    • Qrr (µC) 1050
    • V0 (V) 2.194
    • rS (mOhm) 1.814
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.02
    • Catalog # E1250HC45E
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W122
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1355
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 20500
    • I2t [Diode] (A2s) 2.11 x 10⁶
    • IRM (A) 1000
    • trr,typ (µs) 1.2
    • Qrr (µC) 1850
    • V0 (V) 2.072
    • rS (mOhm) 1.166
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0105
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1500MC33E
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W54
    • VRRM [Diode] (V) 3300
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1580
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17330
    • I2t [Diode] (A2s) 1.5 x 10⁶
    • IRM (A) 1380
    • trr,typ (µs) 1.85
    • Qrr (µC) 2040
    • V0 (V) 1.509
    • rS (mOhm) 0.464
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0162
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1500NC36P
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 3600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 10⁶
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 2750
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.019
    • Catalog # E1500NC42P
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 4200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 10⁶
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 2750
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.019
    • Catalog # E1500NC48P
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 4800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 10⁶
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 2750
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.019
    • Catalog # E1500NH36P
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W47
    • VRRM [Diode] (V) 3600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 10⁶
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 2750
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.019
    • Catalog # E1500NH42P
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W47
    • VRRM [Diode] (V) 4200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 10⁶
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 2750
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.019
    • Catalog # E1500NH48P
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W47
    • VRRM [Diode] (V) 4800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17050
    • I2t [Diode] (A2s) 1.45 x 10⁶
    • IRM (A) 1425
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 2750
    • V0 (V) 1.417
    • rS (mOhm) 0.656
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.019
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1780TG65E
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W125
    • VRRM [Diode] (V) 6500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1780
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 25600
    • I2t [Diode] (A2s) 3.29 x 10⁶
    • IRM (A) 1750
    • trr,typ (µs) 1.22
    • Qrr (µC) 3500
    • V0 (V) 2.021
    • rS (mOhm) 0.983
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0077
    • Part Datasheet
    • Catalog # E1800TC45E
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W28
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2215
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 29050
    • I2t [Diode] (A2s) 4.22 x 10⁶
    • IRM (A) 1490
    • trr,typ (µs) 1.15
    • Qrr (µC) 2800
    • V0 (V) 2.171
    • rS (mOhm) 0.634
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0068
    • Part Datasheet
    • Catalog # E2400EC45E
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W111
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2490
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 32100
    • I2t [Diode] (A2s) 5.15 x 10⁶
    • IRM (A) 2130
    • trr,typ (µs) 1.22
    • Qrr (µC) 3900
    • V0 (V) 2.114
    • rS (mOhm) 0.646
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0056
    • Part Datasheet
    • Catalog # E3000EC45E
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W111
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 3410
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 45700
    • I2t [Diode] (A2s) 10.5 x 10⁶
    • IRM (A) 3050
    • trr,typ (µs) 1.25
    • Qrr (µC) 5000
    • V0 (V) 2.124
    • rS (mOhm) 0.339
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.005
    • Part Datasheet
    • Catalog # E4000FD45E
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W59
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 4210
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 54800
    • I2t [Diode] (A2s) 15.0 x 10⁶
    • IRM (A) 3650
    • trr,typ (µs) 1.5
    • Qrr (µC) 5750
    • V0 (V) 2.117
    • rS (mOhm) 0.351
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0035
    • Part Datasheet