Fast Recovery Epitaxial Diodes (FREDs)

Soft Recovery Capsule Type

  • Electrical Characteristics
    • Catalog # M0225YH300
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W3
    • VRRM [Diode] (V) 3000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 225
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2000
    • I2t [Diode] (A2s) 20 x 10³
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 220
    • V0 (V) 1.9
    • rS (mOhm) 4.16
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0225YH360
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W3
    • VRRM [Diode] (V) 3600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 225
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2000
    • I2t [Diode] (A2s) 20 x 10³
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 220
    • V0 (V) 1.9
    • rS (mOhm) 4.16
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0225YH450
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W3
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 225
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2000
    • I2t [Diode] (A2s) 20 x 10³
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 220
    • V0 (V) 1.9
    • rS (mOhm) 4.16
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0310YH300
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W3
    • VRRM [Diode] (V) 3000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 310
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4590
    • I2t [Diode] (A2s) 105 x 10³
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 275
    • V0 (V) 1.49
    • rS (mOhm) 2.06
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0310YH350
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W3
    • VRRM [Diode] (V) 3500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 310
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4590
    • I2t [Diode] (A2s) 105 x 10³
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 275
    • V0 (V) 1.49
    • rS (mOhm) 2.06
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0347WC160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 1600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 347
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 10³
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 210
    • V0 (V) 1.21
    • rS (mOhm) 1.2
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Catalog # M0347WC200
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 347
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 10³
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 210
    • V0 (V) 1.21
    • rS (mOhm) 1.2
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0347WC250
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 347
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 10³
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 210
    • V0 (V) 1.21
    • rS (mOhm) 1.2
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0358WC120
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 358
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2450
    • I2t [Diode] (A2s) 30 x 10³
    • trr,typ (µs) 1.4
    • Qrr (µC) 125
    • V0 (V) 1.46
    • rS (mOhm) 0.8
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0358WC180
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 1800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 358
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2450
    • I2t [Diode] (A2s) 30 x 10³
    • trr,typ (µs) 1.4
    • Qrr (µC) 125
    • V0 (V) 1.46
    • rS (mOhm) 0.8
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0367WC140
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 1400
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 367
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101x 10³
    • trr,typ (µs) 3.3
    • Qrr (µC) 300
    • V0 (V) 1.28
    • rS (mOhm) 0.92
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0367WC220
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 2200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 367
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.3
    • Qrr (µC) 300
    • V0 (V) 1.28
    • rS (mOhm) 0.92
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0367WC280
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 2800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 367
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.3
    • Qrr (µC) 300
    • V0 (V) 1.28
    • rS (mOhm) 0.92
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0371YH350
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W3
    • VRRM [Diode] (V) 3500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 371
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4900
    • I2t [Diode] (A2s) 120 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.2
    • Qrr (µC) 1260
    • V0 (V) 1.05
    • rS (mOhm) 1.65
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0371YH450
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W3
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 371
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4900
    • I2t [Diode] (A2s) 120 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.2
    • Qrr (µC) 1260
    • V0 (V) 1.05
    • rS (mOhm) 1.65
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0433WC120
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 433
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.5
    • Qrr (µC) 270
    • V0 (V) 1
    • rS (mOhm) 0.74
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0433WC160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 1600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 433
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.5
    • Qrr (µC) 270
    • V0 (V) 1
    • rS (mOhm) 0.74
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0433WC200
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 433
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.5
    • Qrr (µC) 270
    • V0 (V) 1
    • rS (mOhm) 0.74
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0437WC080
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 437
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 10³
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 75
    • V0 (V) 1.02
    • rS (mOhm) 0.7
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0437WC140
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • VRRM [Diode] (V) 1400
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 437
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 10³
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 75
    • V0 (V) 1.02
    • rS (mOhm) 0.7
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.09
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0451YC160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W2
    • VRRM [Diode] (V) 1600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 451
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 10³
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 120
    • V0 (V) 1
    • rS (mOhm) 0.74
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.085
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0451YC200
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W2
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 451
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 10³
    • trr,typ (µs) 2.8
    • Qrr (µC) 120
    • V0 (V) 1
    • rS (mOhm) 0.74
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.085
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0659LC400
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 4000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 659
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 7620
    • I2t [Diode] (A2s) 290 x 10³
    • trr,typ (µs) 4.2
    • Qrr (µC) 800
    • V0 (V) 1.71
    • rS (mOhm) 0.925
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0659LC450
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 659
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 7620
    • I2t [Diode] (A2s) 290 x 10³
    • trr,typ (µs) 4.2
    • Qrr (µC) 800
    • V0 (V) 1.71
    • rS (mOhm) 0.925
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0710LC560
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 5600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 710
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 8400
    • I2t [Diode] (A2s) 353 x 10³
    • trr,typ (µs) 4
    • Qrr (µC) 2100
    • V0 (V) 1.45
    • rS (mOhm) 0.875
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0710LC600
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 6000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 710
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 8400
    • I2t [Diode] (A2s) 353 x 10³
    • trr,typ (µs) 4
    • Qrr (µC) 2100
    • V0 (V) 1.45
    • rS (mOhm) 0.875
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0736LC400
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 4000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 736
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 9000
    • I2t [Diode] (A2s) 405 x 10³
    • trr,typ (µs) 5.2
    • Qrr (µC) 1250
    • V0 (V) 1.606
    • rS (mOhm) 0.7
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0736LC450
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 736
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 9000
    • I2t [Diode] (A2s) 405 x 10³
    • trr,typ (µs) 5.2
    • Qrr (µC) 1250
    • V0 (V) 1.606
    • rS (mOhm) 0.7
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0759YC120
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W2
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 759
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 9500
    • I2t [Diode] (A2s) 450 x 10³
    • trr,typ (µs) 2
    • Qrr (µC) 80
    • V0 (V) 1.13
    • rS (mOhm) 0.38
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.05
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0759YC160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W2
    • VRRM [Diode] (V) 1600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 759
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 9500
    • I2t [Diode] (A2s) 450 x 10³
    • trr,typ (µs) 2
    • Qrr (µC) 80
    • V0 (V) 1.13
    • rS (mOhm) 0.38
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.05
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0759YH120
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W3
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 759
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 9500
    • I2t [Diode] (A2s) 450 x 10³
    • trr,typ (µs) 2
    • Qrr (µC) 80
    • V0 (V) 1.13
    • rS (mOhm) 0.38
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.05
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0759YH160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W3
    • VRRM [Diode] (V) 1600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 759
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 9500
    • I2t [Diode] (A2s) 450 x 10³
    • trr,typ (µs) 2
    • Qrr (µC) 80
    • V0 (V) 1.13
    • rS (mOhm) 0.38
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.05
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0859LC140
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 1400
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 859
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10000
    • I2t [Diode] (A2s) 500 x 10³
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 280
    • V0 (V) 1.17
    • rS (mOhm) 0.32
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.044
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0859LC160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 1600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 859
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10000
    • I2t [Diode] (A2s) 500 x 10³
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 280
    • V0 (V) 1.17
    • rS (mOhm) 0.32
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.044
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0859LC180
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 1800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 859
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10000
    • I2t [Diode] (A2s) 500 x 10³
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 280
    • V0 (V) 1.17
    • rS (mOhm) 0.32
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.044
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0863LC260
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 2600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 863
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10000
    • I2t [Diode] (A2s) 500 x 10³
    • trr,typ (µs) 4.8
    • Qrr (µC) 950
    • V0 (V) 1.308
    • rS (mOhm) 0.538
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0863LC300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 3000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 863
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10000
    • I2t [Diode] (A2s) 500 x 10³
    • trr,typ (µs) 4.8
    • Qrr (µC) 950
    • V0 (V) 1.308
    • rS (mOhm) 0.538
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0863LC360
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 3600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 863
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10000
    • I2t [Diode] (A2s) 500 x 10³
    • trr,typ (µs) 4.8
    • Qrr (µC) 950
    • V0 (V) 1.308
    • rS (mOhm) 0.538
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0872LC140
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 1400
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 872
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10000
    • I2t [Diode] (A2s) 500 x 10³
    • trr,typ (µs) 4
    • Qrr (µC) 700
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.34
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.044
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0872LC180
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 1800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 872
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10000
    • I2t [Diode] (A2s) 500 x 10³
    • trr,typ (µs) 4
    • Qrr (µC) 700
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.34
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.044
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0872LC210
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 2100
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 872
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10000
    • I2t [Diode] (A2s) 500 x 10³
    • trr,typ (µs) 4
    • Qrr (µC) 700
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.34
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.044
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0955JK200
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W113
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1105
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 11700
    • I2t [Diode] (A2s) 684 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.4
    • Qrr (µC) 500
    • V0 (V) 1.44
    • rS (mOhm) 0.33
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.027
    • Catalog # M0955JK250
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W113
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1105
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 11700
    • I2t [Diode] (A2s) 684 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.4
    • Qrr (µC) 500
    • V0 (V) 1.44
    • rS (mOhm) 0.33
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.027
    • Catalog # M0955LC200
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 955
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 11700
    • I2t [Diode] (A2s) 684 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.4
    • Qrr (µC) 500
    • V0 (V) 1.44
    • rS (mOhm) 0.33
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0955LC250
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 955
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 11700
    • I2t [Diode] (A2s) 684 x 10³
    • trr,typ (µs) 3.4
    • Qrr (µC) 500
    • V0 (V) 1.44
    • rS (mOhm) 0.33
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1022LC120
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1022
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 14000
    • I2t [Diode] (A2s) 0.98 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 375
    • V0 (V) 1.24
    • rS (mOhm) 0.33
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1022LC160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 1600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1022
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 14000
    • I2t [Diode] (A2s) 0.98 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 375
    • V0 (V) 1.24
    • rS (mOhm) 0.33
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1022LC200
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1022
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 14000
    • I2t [Diode] (A2s) 0.98 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 3
    • Qrr (µC) 375
    • V0 (V) 1.24
    • rS (mOhm) 0.33
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1080LC100
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 1000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1080
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13500
    • I2t [Diode] (A2s) 910 x 10³
    • trr,typ (µs) 1.9
    • Qrr (µC) 85
    • V0 (V) 1.125
    • rS (mOhm) 0.314
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1080LC120
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1080
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13500
    • I2t [Diode] (A2s) 910 x 10³
    • trr,typ (µs) 1.9
    • Qrr (µC) 85
    • V0 (V) 1.125
    • rS (mOhm) 0.314
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.033
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1102NC500
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 5000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1102
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13000
    • I2t [Diode] (A2s) 845 x 10³
    • trr,typ (µs) 5.5
    • Qrr (µC) 3300
    • V0 (V) 1.36
    • rS (mOhm) 0.557
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1102NC600
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 6000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1102
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13000
    • I2t [Diode] (A2s) 845 x 10³
    • trr,typ (µs) 5.5
    • Qrr (µC) 3300
    • V0 (V) 1.36
    • rS (mOhm) 0.557
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1102ND500
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W37
    • VRRM [Diode] (V) 5000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1102
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13000
    • I2t [Diode] (A2s) 845 x 10³
    • trr,typ (µs) 5.5
    • Qrr (µC) 3300
    • V0 (V) 1.36
    • rS (mOhm) 0.557
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Catalog # M1102ND600
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W37
    • VRRM [Diode] (V) 6000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1102
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13000
    • I2t [Diode] (A2s) 845 x 10³
    • trr,typ (µs) 5.5
    • Qrr (µC) 3300
    • V0 (V) 1.36
    • rS (mOhm) 0.557
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Catalog # M1104NC400
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 4000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1104
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13000
    • I2t [Diode] (A2s) 845 x 10³
    • trr,typ (µs) 6
    • Qrr (µC) 2100
    • V0 (V) 1.37
    • rS (mOhm) 0.553
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1104NC450
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1104
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13000
    • I2t [Diode] (A2s) 845 x 10³
    • trr,typ (µs) 6
    • Qrr (µC) 2100
    • V0 (V) 1.37
    • rS (mOhm) 0.553
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1104ND400
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W37
    • VRRM [Diode] (V) 4000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1104
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13000
    • I2t [Diode] (A2s) 845 x 10³
    • trr,typ (µs) 6
    • Qrr (µC) 2100
    • V0 (V) 1.37
    • rS (mOhm) 0.553
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Catalog # M1104ND450
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W37
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1104
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13000
    • I2t [Diode] (A2s) 845 x 10³
    • trr,typ (µs) 6
    • Qrr (µC) 2100
    • V0 (V) 1.37
    • rS (mOhm) 0.553
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Catalog # M1242NC260
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 2600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1242
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 16400
    • I2t [Diode] (A2s) 1.34 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 6
    • Qrr (µC) 1500
    • V0 (V) 1.27
    • rS (mOhm) 0.42
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1242NC360
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 3600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1242
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 16400
    • I2t [Diode] (A2s) 1.34 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 6
    • Qrr (µC) 1500
    • V0 (V) 1.27
    • rS (mOhm) 0.42
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1242ND260
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W37
    • VRRM [Diode] (V) 2600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1242
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 16400
    • I2t [Diode] (A2s) 1.34 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 6
    • Qrr (µC) 1500
    • V0 (V) 1.27
    • rS (mOhm) 0.42
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1242ND360
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W37
    • VRRM [Diode] (V) 3600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1242
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 16400
    • I2t [Diode] (A2s) 1.34 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 6
    • Qrr (µC) 1500
    • V0 (V) 1.27
    • rS (mOhm) 0.42
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1494NC160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 1600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1494
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 19600
    • I2t [Diode] (A2s) 1.92 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 3.9
    • Qrr (µC) 815
    • V0 (V) 1.15
    • rS (mOhm) 0.265
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Catalog # M1494NC250
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1494
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 19600
    • I2t [Diode] (A2s) 1.92 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 3.9
    • Qrr (µC) 815
    • V0 (V) 1.15
    • rS (mOhm) 0.265
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1494ND160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W37
    • VRRM [Diode] (V) 1600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1494
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 19600
    • I2t [Diode] (A2s) 1.92 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 3.9
    • Qrr (µC) 815
    • V0 (V) 1.15
    • rS (mOhm) 0.265
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Catalog # M1494ND250
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W37
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1494
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 19600
    • I2t [Diode] (A2s) 1.92 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 3.9
    • Qrr (µC) 815
    • V0 (V) 1.15
    • rS (mOhm) 0.265
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Catalog # M1494NK160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type WD8
    • VRRM [Diode] (V) 1600
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1975
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 19600
    • I2t [Diode] (A2s) 1.92 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 3.9
    • Qrr (µC) 815
    • V0 (V) 1.15
    • rS (mOhm) 0.265
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0145
    • Catalog # M1494NK250
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type WD8
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1975
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 19600
    • I2t [Diode] (A2s) 1.92 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 3.9
    • Qrr (µC) 815
    • V0 (V) 1.15
    • rS (mOhm) 0.265
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0145
    • Catalog # M1565VC400
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W6
    • VRRM [Diode] (V) 4000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1565
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 19700
    • I2t [Diode] (A2s) 1.94 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 5
    • Qrr (µC) 4000
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.36
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.018
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1565VC450
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W6
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1565
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 19700
    • I2t [Diode] (A2s) 1.94 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 5
    • Qrr (µC) 4000
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.36
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.018
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1565VF400
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W43
    • VRRM [Diode] (V) 4000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1565
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 19700
    • I2t [Diode] (A2s) 1.94 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 5
    • Qrr (µC) 4000
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.36
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.018
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1565VF450
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W43
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1565
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 19700
    • I2t [Diode] (A2s) 1.94 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 5
    • Qrr (µC) 4000
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.36
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.018
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1858NC100
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 1000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1858
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 25000
    • I2t [Diode] (A2s) 3.25 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 2.5
    • Qrr (µC) 120
    • V0 (V) 1.127
    • rS (mOhm) 0.127
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • RoHS Yes
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1858NC120
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1858
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 25000
    • I2t [Diode] (A2s) 3.25 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 2.5
    • Qrr (µC) 120
    • V0 (V) 1.127
    • rS (mOhm) 0.127
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1858ND100
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W37
    • VRRM [Diode] (V) 1000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1858
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 25000
    • I2t [Diode] (A2s) 3.25 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 2.5
    • Qrr (µC) 120
    • V0 (V) 1.127
    • rS (mOhm) 0.127
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • RoHS Yes
    • Part Datasheet
    • Catalog # M1858ND120
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W37
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1858
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 25000
    • I2t [Diode] (A2s) 3.25 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 2.5
    • Qrr (µC) 120
    • V0 (V) 1.127
    • rS (mOhm) 0.127
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.022
    • Part Datasheet
    • Catalog # M2322ZC300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W7
    • VRRM [Diode] (V) 3000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2322
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 23000
    • I2t [Diode] (A2s) 2.64 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 6.5
    • Qrr (µC) 3200
    • V0 (V) 1.67
    • rS (mOhm) 0.186
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.011
    • Part Datasheet
    • Catalog # M2322ZC400
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W7
    • VRRM [Diode] (V) 4000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2322
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 23000
    • I2t [Diode] (A2s) 2.64 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 6.5
    • Qrr (µC) 3200
    • V0 (V) 1.67
    • rS (mOhm) 0.186
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.011
    • Part Datasheet
    • Catalog # M2322ZD300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W42
    • VRRM [Diode] (V) 3000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2322
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 23000
    • I2t [Diode] (A2s) 2.64 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 6.5
    • Qrr (µC) 3200
    • V0 (V) 1.67
    • rS (mOhm) 0.186
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.011
    • Part Datasheet
    • Catalog # M2322ZD400
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W42
    • VRRM [Diode] (V) 4000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2322
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 23000
    • I2t [Diode] (A2s) 2.64 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 6.5
    • Qrr (µC) 3200
    • V0 (V) 1.67
    • rS (mOhm) 0.186
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.011
    • Part Datasheet
    • Catalog # M2413VC200
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W6
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2413
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 32000
    • I2t [Diode] (A2s) 5.12 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 5
    • Qrr (µC) 2500
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.121
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.016
    • Part Datasheet
    • Catalog # M2413VC250
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W6
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2413
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 32000
    • I2t [Diode] (A2s) 5.12 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 5
    • Qrr (µC) 2500
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.121
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.016
    • Part Datasheet
    • Catalog # M2413VF200
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W43
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2413
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 32000
    • I2t [Diode] (A2s) 5.12 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 5
    • Qrr (µC) 2500
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.121
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.016
    • Part Datasheet
    • Catalog # M2413VF250
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W43
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 2413
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 32000
    • I2t [Diode] (A2s) 5.12 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 5
    • Qrr (µC) 2500
    • V0 (V) 1.09
    • rS (mOhm) 0.121
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.016
    • Part Datasheet
    • Catalog # M3560TJ420
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W89
    • VRRM [Diode] (V) 4200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 3560
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 36000
    • I2t [Diode] (A2s) 6.48 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 7
    • Qrr (µC) 4100
    • V0 (V) 1.253
    • rS (mOhm) 0.137
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.008
    • Part Datasheet
    • Catalog # M3560TJ450
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W89
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 3560
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 36000
    • I2t [Diode] (A2s) 6.48 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 7
    • Qrr (µC) 4100
    • V0 (V) 1.253
    • rS (mOhm) 0.137
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.008
    • Part Datasheet
    • Catalog # M4305TJ240
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W89
    • VRRM [Diode] (V) 2400
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 4305
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 49000
    • I2t [Diode] (A2s) 12.0 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 5
    • Qrr (µC) 2500
    • V0 (V) 1.104
    • rS (mOhm) 0.087
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.008
    • Part Datasheet
    • Catalog # M4305TJ280
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W89
    • VRRM [Diode] (V) 2800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 4305
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 49000
    • I2t [Diode] (A2s) 12.0 x 10⁶
    • trr,typ (µs) 5
    • Qrr (µC) 2500
    • V0 (V) 1.104
    • rS (mOhm) 0.087
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.008
    • Part Datasheet