Fast Recovery Epitaxial Diodes (FREDs)

Soft Recovery Stud Type

  • Electrical Characteristics
    • Catalog # M0130RL200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 130
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2240
    • I2t [Diode] (A2s) 25.0 x 103
    • trr,typ (µs) 2.60
    • Qrr (µC) 430
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W20
    • V0 (V) 1.290
    • rS (mOhm) 1.540
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0130RL250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 130
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2240
    • I2t [Diode] (A2s) 25.0 x 103
    • trr,typ (µs) 2.60
    • Qrr (µC) 430
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W20
    • V0 (V) 1.290
    • rS (mOhm) 1.540
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0130RM200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 130
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2240
    • I2t [Diode] (A2s) 25.0 x 103
    • trr,typ (µs) 2.60
    • Qrr (µC) 430
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W21
    • V0 (V) 1.290
    • rS (mOhm) 1.540
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Catalog # M0130RM250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 130
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2240
    • I2t [Diode] (A2s) 25.0 x 103
    • trr,typ (µs) 2.60
    • Qrr (µC) 430
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W21
    • V0 (V) 1.290
    • rS (mOhm) 1.540
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Catalog # M0130SL200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 130
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2240
    • I2t [Diode] (A2s) 25.0 x 103
    • trr,typ (µs) 2.60
    • Qrr (µC) 430
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W20
    • V0 (V) 1.290
    • rS (mOhm) 1.540
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0130SL250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 130
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2240
    • I2t [Diode] (A2s) 25.0 x 103
    • trr,typ (µs) 2.60
    • Qrr (µC) 430
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W20
    • V0 (V) 1.290
    • rS (mOhm) 1.540
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0130SM200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 130
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2240
    • I2t [Diode] (A2s) 25.0 x 103
    • trr,typ (µs) 2.60
    • Qrr (µC) 430
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W21
    • V0 (V) 1.290
    • rS (mOhm) 1.540
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Catalog # M0130SM250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 130
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2240
    • I2t [Diode] (A2s) 25.0 x 103
    • trr,typ (µs) 2.60
    • Qrr (µC) 430
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W21
    • V0 (V) 1.290
    • rS (mOhm) 1.540
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Catalog # M0139RL120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 139
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2450
    • I2t [Diode] (A2s) 30.0 x 103
    • trr,typ (µs) 1.00
    • Qrr (µC) 125
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W20
    • V0 (V) 1.240
    • rS (mOhm) 1.280
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0139RL180
    • VRRM [Diode] (V) 1800
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 139
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2450
    • I2t [Diode] (A2s) 30.0 x 103
    • trr,typ (µs) 1.00
    • Qrr (µC) 125
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W20
    • V0 (V) 1.240
    • rS (mOhm) 1.280
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0139RM120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 139
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2450
    • I2t [Diode] (A2s) 30.0 x 103
    • trr,typ (µs) 1.00
    • Qrr (µC) 125
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W21
    • V0 (V) 1.240
    • rS (mOhm) 1.280
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0139RM180
    • VRRM [Diode] (V) 1800
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 139
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2450
    • I2t [Diode] (A2s) 30.0 x 103
    • trr,typ (µs) 1.00
    • Qrr (µC) 125
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W21
    • V0 (V) 1.240
    • rS (mOhm) 1.280
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0139SL120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 139
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2450
    • I2t [Diode] (A2s) 30.0 x 103
    • trr,typ (µs) 1.00
    • Qrr (µC) 125
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W20
    • V0 (V) 1.240
    • rS (mOhm) 1.280
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0139SL180
    • VRRM [Diode] (V) 1800
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 139
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2450
    • I2t [Diode] (A2s) 30.0 x 103
    • trr,typ (µs) 1.00
    • Qrr (µC) 125
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W20
    • V0 (V) 1.240
    • rS (mOhm) 1.280
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0139SM120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 139
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2450
    • I2t [Diode] (A2s) 30.0 x 103
    • trr,typ (µs) 1.00
    • Qrr (µC) 125
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W21
    • V0 (V) 1.240
    • rS (mOhm) 1.280
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0139SM180
    • VRRM [Diode] (V) 1800
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 139
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2450
    • I2t [Diode] (A2s) 30.0 x 103
    • trr,typ (µs) 1.00
    • Qrr (µC) 125
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W21
    • V0 (V) 1.240
    • rS (mOhm) 1.280
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.3000
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0268RC200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 268
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.210
    • rS (mOhm) 1.200
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0268RC250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 268
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.210
    • rS (mOhm) 1.200
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0268RJ200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 268
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.210
    • rS (mOhm) 1.200
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0268RJ250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 268
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.210
    • rS (mOhm) 1.200
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0268SC200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 268
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.210
    • rS (mOhm) 1.200
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0268SC250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 268
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.210
    • rS (mOhm) 1.200
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0268SJ200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 268
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.210
    • rS (mOhm) 1.200
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0268SJ250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 268
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4250
    • I2t [Diode] (A2s) 90.3 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 300
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.210
    • rS (mOhm) 1.200
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0280RC200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 100 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 610
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.280
    • rS (mOhm) 0.920
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0280RC250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 100 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 610
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.280
    • rS (mOhm) 0.920
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0280RJ200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 100 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 610
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.280
    • rS (mOhm) 0.920
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0280RJ250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 100 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 610
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.280
    • rS (mOhm) 0.920
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0280SC200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 100 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 610
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.280
    • rS (mOhm) 0.920
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0280SC250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 100 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 610
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.280
    • rS (mOhm) 0.920
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0280SJ200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 100 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 610
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.280
    • rS (mOhm) 0.920
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0280SJ250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 280
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 100 x 103
    • trr,typ (µs) 2.80
    • Qrr (µC) 610
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.280
    • rS (mOhm) 0.920
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0334RC120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 334
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.50
    • Qrr (µC) 160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.000
    • rS (mOhm) 0.740
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Catalog # M0334RC200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 334
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.50
    • Qrr (µC) 160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.000
    • rS (mOhm) 0.740
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0334RJ120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 334
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.50
    • Qrr (µC) 160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.000
    • rS (mOhm) 0.740
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Catalog # M0334RJ200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 334
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.50
    • Qrr (µC) 160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.000
    • rS (mOhm) 0.740
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0334SC120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 334
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.50
    • Qrr (µC) 160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.000
    • rS (mOhm) 0.740
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Catalog # M0334SC200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 334
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.50
    • Qrr (µC) 160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W24
    • V0 (V) 1.000
    • rS (mOhm) 0.740
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0334SJ120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 334
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.50
    • Qrr (µC) 160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.000
    • rS (mOhm) 0.740
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Catalog # M0334SJ200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 334
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.50
    • Qrr (µC) 160
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W22
    • V0 (V) 1.000
    • rS (mOhm) 0.740
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0336RA120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 336
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.00
    • Qrr (µC) 140
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W23
    • V0 (V) 1.020
    • rS (mOhm) 0.700
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0336RA140
    • VRRM [Diode] (V) 1400
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 336
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.00
    • Qrr (µC) 140
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W23
    • V0 (V) 1.020
    • rS (mOhm) 0.700
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0336SA120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 336
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.00
    • Qrr (µC) 140
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W23
    • V0 (V) 1.020
    • rS (mOhm) 0.700
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet
    • Catalog # M0336SA140
    • VRRM [Diode] (V) 1400
    • IFAV @ Tc=55 ℃ (A) 336
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 4500
    • I2t [Diode] (A2s) 101 x 103
    • trr,typ (µs) 3.00
    • Qrr (µC) 140
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W23
    • V0 (V) 1.020
    • rS (mOhm) 0.700
    • RthJC 180° Sine Wave (K/W) 0.1300
    • Part Datasheet