Fast Recovery Epitaxial Diodes (FREDs)

Extra Fast Capsule Type

  • Electrical Characteristics
    • Catalog # F0240YC250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 240
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 3100
    • I2t [Diode] (A2s) 48.1 x 103
    • IRM (A) 40
    • trr,typ (µs) 2.00
    • Qrr (µC) 100
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W2
    • V0 (V) 2.271
    • rS (mOhm) 2.853
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1000
    • Part Datasheet
    • Catalog # F0240YC300
    • VRRM [Diode] (V) 3000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 240
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 3100
    • I2t [Diode] (A2s) 48.1 x 103
    • IRM (A) 40
    • trr,typ (µs) 2.00
    • Qrr (µC) 100
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W2
    • V0 (V) 2.271
    • rS (mOhm) 2.853
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1000
    • Part Datasheet
    • Catalog # F0240YH250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 240
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 3100
    • I2t [Diode] (A2s) 48.1 x 103
    • IRM (A) 40
    • trr,typ (µs) 2.00
    • Qrr (µC) 100
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W3
    • V0 (V) 2.271
    • rS (mOhm) 2.853
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1000
    • Part Datasheet
    • Catalog # F0240YH300
    • VRRM [Diode] (V) 3000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 240
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 3100
    • I2t [Diode] (A2s) 48.1 x 103
    • IRM (A) 40
    • trr,typ (µs) 2.00
    • Qrr (µC) 100
    • TJ Max (°C) 150
    • Package Type W3
    • V0 (V) 2.271
    • rS (mOhm) 2.853
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.1000
    • Part Datasheet
    • Catalog # F0300WC140
    • VRRM [Diode] (V) 1400
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 240
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2700
    • I2t [Diode] (A2s) 36.5 x 103
    • IRM (A) 530
    • trr,typ (µs) 3.00
    • Qrr (µC) 70
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • V0 (V) 1.760
    • rS (mOhm) 2.210
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0950
    • Catalog # F0300WC180
    • VRRM [Diode] (V) 1800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 240
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 2700
    • I2t [Diode] (A2s) 36.5 x 103
    • IRM (A) 530
    • trr,typ (µs) 3.00
    • Qrr (µC) 70
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W1
    • V0 (V) 1.760
    • rS (mOhm) 2.210
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0950
    • Part Datasheet
    • Catalog # F0800LC140
    • VRRM [Diode] (V) 1400
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 775
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 7630
    • I2t [Diode] (A2s) 291 x 103
    • IRM (A) 380
    • trr,typ (µs) 1.10
    • Qrr (µC) 200
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • V0 (V) 1.494
    • rS (mOhm) 0.692
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0320
    • Catalog # F0800LC180
    • VRRM [Diode] (V) 1800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 775
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 7630
    • I2t [Diode] (A2s) 291 x 103
    • IRM (A) 380
    • trr,typ (µs) 1.10
    • Qrr (µC) 200
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • V0 (V) 1.494
    • rS (mOhm) 0.692
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0320
    • Part Datasheet
    • Catalog # F0900VC450
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 816
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10450
    • I2t [Diode] (A2s) 546 x 103
    • IRM (A) 120
    • trr,typ (µs) 3.80
    • Qrr (µC) 230
    • TJ Max (°C) 115
    • Package Type W6
    • V0 (V) 2.024
    • rS (mOhm) 1.274
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0160
    • Part Datasheet
    • Catalog # F0900VC520
    • VRRM [Diode] (V) 5200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 816
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10450
    • I2t [Diode] (A2s) 546 x 103
    • IRM (A) 120
    • trr,typ (µs) 3.80
    • Qrr (µC) 230
    • TJ Max (°C) 115
    • Package Type W6
    • V0 (V) 2.024
    • rS (mOhm) 1.274
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0160
    • Part Datasheet
    • Catalog # F0900VF450
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 816
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10450
    • I2t [Diode] (A2s) 546 x 103
    • IRM (A) 120
    • trr,typ (µs) 3.80
    • Qrr (µC) 230
    • TJ Max (°C) 115
    • Package Type W43
    • V0 (V) 2.024
    • rS (mOhm) 1.274
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0160
    • Part Datasheet
    • Catalog # F0900VF520
    • VRRM [Diode] (V) 5200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 816
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 10450
    • I2t [Diode] (A2s) 546 x 103
    • IRM (A) 120
    • trr,typ (µs) 3.80
    • Qrr (µC) 230
    • TJ Max (°C) 115
    • Package Type W43
    • V0 (V) 2.024
    • rS (mOhm) 1.274
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0160
    • Part Datasheet
    • Catalog # F1000LC080
    • VRRM [Diode] (V) 800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 826
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 8500
    • I2t [Diode] (A2s) 361 x 103
    • IRM (A) 320
    • trr,typ (µs) 1.60
    • Qrr (µC) 250
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • V0 (V) 1.530
    • rS (mOhm) 0.547
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0320
    • Catalog # F1000LC120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 826
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 8500
    • I2t [Diode] (A2s) 361 x 103
    • IRM (A) 320
    • trr,typ (µs) 1.60
    • Qrr (µC) 250
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W4
    • V0 (V) 1.530
    • rS (mOhm) 0.547
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0320
    • Part Datasheet
    • Catalog # F1300NC45P
    • VRRM [Diode] (V) 4500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1346
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 20800
    • I2t [Diode] (A2s) 2.16 x 106
    • IRM (A) 470
    • trr,typ (µs) 4.30
    • Qrr (µC) 2150
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.569
    • rS (mOhm) 0.318
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0240
    • Part Datasheet
    • Catalog # F1300NC50P
    • VRRM [Diode] (V) 5000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1346
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 20800
    • I2t [Diode] (A2s) 2.16 x 106
    • IRM (A) 470
    • trr,typ (µs) 4.30
    • Qrr (µC) 2150
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.569
    • rS (mOhm) 0.318
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0240
    • Part Datasheet
    • Catalog # F1300NC55P
    • VRRM [Diode] (V) 5500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1346
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 20800
    • I2t [Diode] (A2s) 2.16 x 106
    • IRM (A) 470
    • trr,typ (µs) 4.30
    • Qrr (µC) 2150
    • TJ Max (°C) 140
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.569
    • rS (mOhm) 0.318
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0240
    • Part Datasheet
    • Catalog # F1400NC140
    • VRRM [Diode] (V) 1400
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1093
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17250
    • I2t [Diode] (A2s) 1.49 x 106
    • IRM (A) 800
    • trr,typ (µs) 1.50
    • Qrr (µC) 1000
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.618
    • rS (mOhm) 0.388
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0240
    • Catalog # F1400NC180
    • VRRM [Diode] (V) 1800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1093
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 17250
    • I2t [Diode] (A2s) 1.49 x 106
    • IRM (A) 800
    • trr,typ (µs) 1.50
    • Qrr (µC) 1000
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.618
    • rS (mOhm) 0.388
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0240
    • Part Datasheet
    • Catalog # F1500NC200
    • VRRM [Diode] (V) 2000
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1054
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13750
    • I2t [Diode] (A2s) 950 x 103
    • IRM (A) 1065
    • trr,typ (µs) 1.50
    • Qrr (µC) 1500
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.372
    • rS (mOhm) 0.535
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0240
    • Catalog # F1500NC250
    • VRRM [Diode] (V) 2500
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1054
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 13750
    • I2t [Diode] (A2s) 950 x 103
    • IRM (A) 1065
    • trr,typ (µs) 1.50
    • Qrr (µC) 1500
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.372
    • rS (mOhm) 0.535
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0240
    • Part Datasheet
    • Catalog # F1600NC080
    • VRRM [Diode] (V) 800
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1326
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 20000
    • I2t [Diode] (A2s) 2.0 x 106
    • IRM (A) 480
    • trr,typ (µs) 2.30
    • Qrr (µC) 700
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.320
    • rS (mOhm) 0.268
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0240
    • Catalog # F1600NC120
    • VRRM [Diode] (V) 1200
    • IFAV @ Tk=55 ℃ (A) 1326
    • IFSM 10ms Half Sine Wave (A) 20000
    • I2t [Diode] (A2s) 2.0 x 106
    • IRM (A) 480
    • trr,typ (µs) 2.30
    • Qrr (µC) 700
    • TJ Max (°C) 125
    • Package Type W5
    • V0 (V) 1.320
    • rS (mOhm) 0.268
    • RthJK 180° Sine Wave (K/W) 0.0240
    • Part Datasheet